纳米ATO抗静电粉 20-40nm导电材料 纳米氧化锡锑

详情描述：

主要成分：SnO2：Sb2O3=90：10或其他配比
型号：CY- G06
技术指标：
 
项目
CY-G06
外观
蓝黑色
粒径（nm）
10-20
堆积密度（g/cm3）
0.3-0.4
干燥失重120℃?2h (%)
<1.5
灼烧失重850℃?2h（%）
<3
PH值（10%）
3-5
比表面积(SSA ，m2/g)
40-60
粒径（D50/D90/D100)
<5/15/30
 
 
产品特性：
1. ATO具有优良的电学和光学性质.利用起良好的导电性,作为抗静电剂广泛应用在涂料、化纤、高分子膜等领域。
2. ATO在耐活性、热塑性、耐磨性、分散性、安全性等方面远好于其他抗静电材料,如石墨、表面活性剂、金属粉等。
3. ATO是一种多功能导电材料，它具有高导电性，浅色透明性，耐侯性，抗辐射性等众多优良特性。
4. ATO具有屏蔽和反射红外线的作用，做成的涂层对汽车玻璃等有良好的隔热性能。
 
应用范围：
主要用于抗静电塑料、涂料、纤维，显示器用防辐射涂层，建筑用节能视窗，太阳能电池，汽车风挡，光电显示器件，透明电极，催化等方面。此外还可以利用它对微波的衰减性，可用在计算机房、雷达屏蔽保护区等需要屏蔽电磁波的领域。
 
添加量：1%-3%不等